5 月 8 日 信息,英特尔近日 宣告 实现世界首台商用高数值孔径(High NA)EUV 光刻机的安装,而这台耗资约 3.5 亿美元(IT之家备注：当前约 25.23 亿元人民币)的巨大无朋将于年内正式启用 。

TheElec 示意,ASML 截至明年上半年绝大 部分高数值孔径 EUV 设施的订单已经由英特尔承包,包含今年 方案生产的五套 设施将全部运给这家美国芯片创造商 。

信息人士称,因为 ASML 的高数值孔径 EUV 设施产能每年约为 5 到 6 台,这 象征着英特尔将 获得全部初始库存,而英特尔的竞争对手三星和 SK 海力士估计将在明年下半年 能力 获得该 设施 。

▲ 图源：ASML

关于高数值孔径,IT之家这里 容易解释一下 。光刻 设施中的 NA 代表数值孔径, 示意光学系统收集和聚光的 威力 。数值越高,聚光的 威力就越强 。相比于当前 EUV 设施的?0.33 数值孔径,新一代 EUV 设施的 NA 值直接添加到了 0.55, 占有 1.7 倍于当前 0.33NA EUV 光刻机的一维密度,在二维尺度上可实现 190% 的密度 晋升 。

英特尔代工旗下逻辑技术开发部门的光刻、硬件和解决 方案主管菲利普斯 示意,英特尔将于今年晚些时候将 High NA EUV 光刻机投入制程开发工作 。

英特尔将在 18A 尺度的概念验证节点上对 High NA EUV 和传统 0.33NA EUV 光刻的混合 使用进行测试,并在之后的 14A 节点上进入商业化量产阶段 。

菲利普斯预测 High NA EUV 光刻机至少可在三代的 将来节点上沿用,从而将光刻技术的名义尺度 打破到 1nm 以下量级 。

关于 将来光刻技术进展,菲利普斯认为将光线波 长进一步缩小至 6.7nm 会引入大量新的问题,包含显而易见更大的光学组件；在他眼中,更高的数值孔径(Hyper NA)是可能的技术方向 。

关于 High NA EUV 光刻带来的单芯片 实际最大面积减小问题,菲利普斯 示意英特尔正同 EDA 企业一道就芯片“缝合”技术进行开发,以容易设计师 使用 。

▲ 图源：英特尔

因为英特尔于 2021 年再一次进入芯片代工市场,所以需求比其竞争对手更快地采纳高数值孔径 EUV 技术来赢取客户的信赖,不过英特尔代工业务上一年亏损了 70 亿美元(当前约 504.7 亿元人民币),看起来还有很长的路要走 。